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關(guān)鍵詞：類金剛石薄膜 磁過濾電弧離子鍍 大顆粒 成鍵狀態(tài) 

摘要：利用磁過濾電弧離子鍍技術(shù)在單晶Si基體表面沉積了類金剛石薄膜,研究了工作氣壓和偏壓占空比對DLC薄膜表面形貌、沉積速率和成鍵情況的影響.通過掃描電子顯微鏡觀察薄膜的表面形貌,利用Imagepro-plus圖像處理軟件統(tǒng)計薄膜表面大顆粒的面積和數(shù)量,通過拉曼光譜儀測量類金剛石薄膜的成鍵狀態(tài),結(jié)果表明,隨著工作氣壓從0.1Pa升至0.5Pa,薄膜表面大顆粒的總面積逐漸增加,沉積速率下降,sp3鍵含量增加;偏壓占空比從15%提高至75%,表面大顆粒的總面積和數(shù)量均不斷升高,沉積速率下降,薄膜中sp3鍵含量先降后升;占空比為30%時,薄膜中sp3鍵含量最低.

材料研究與應(yīng)用雜志要求:

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