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Zr摻雜對CeO2(111)表面空位形成及電子結構的影響
賈慧靈; 鄒春陽; 吳錦繡; 李梅 內蒙古科技大學機械工程學院; 內蒙古包頭014010; 內蒙古科技大學材料與冶金學院; 內蒙古包頭014010
關鍵詞：zr摻雜 氧空位 電子結構 態密度
摘要：利用VASP軟件,采用第一性原理的DFT+U方法計算了Zr摻雜前后CeO 2(111)表面結構、氧空位形成能以及電子結構的變化.研究表明:Zr摻雜中心附近,表層Ce,O原子發生較大弛豫,Zr的摻雜明顯降低了CeO 2(111)表面的氧空位形成能,表明對其態密度無明顯的影響.Zr摻雜前后的還原體系態密度圖均在靠近費密能級左側出現1個間隙態,表明有Ce^4+被還原為Ce^3+.
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